一、行业背景：国产替代浪潮下的战略机遇

半导体材料作为产业链上游“卡脖子”环节，近年成为国家战略重点。2025年全球半导体材料市场规模突破800亿美元，但光刻胶、电子特气等高端领域国产化率仍不足20%。政策端《中国制造2035》明确将半导体材料列为优先突破领域，资本端大基金三期超3000亿元定向支持。南大光电凭借十年技术积累，已站上国产替代浪潮的制高点。

二、业绩亮点：营收利润双增，研发转化显成效

财务数据：H1营收28.7亿元（同比+42.3%），归母净利润5.9亿元（同比+57.6%），毛利率提升至48.2%（+3.8pct）。 

增长引擎：光刻胶业务营收12.1亿元（占比42.2%），其中ArF光刻胶通过5家晶圆厂验证；电子特气业务营收9.8亿元（同比+31.5%），三氟化氮产能利用率达95%。 

研发转化：研发投入4.3亿元（占营收15%），新增12项发明专利，KrF光刻胶良率提升至国际水平，直接带动产品溢价提升。

三、技术突破：从追赶到领跑的关键跃迁

光刻胶：28nm ArF光刻胶完成中芯国际量产导入，14nm工艺进入客户测试阶段，突破ASML光源适配技术瓶颈。 

MO源：高纯砷化镓材料纯度达99.99999%（全球仅3家企业掌握），支撑第三代半导体器件良率提升20%。 

封装材料：Low-α球硅填料通过长电科技认证，打破日本厂商垄断，成本降低30%。

四、战略布局：构建材料生态圈

产能扩张：宁波基地新增200吨ArF光刻胶产线投产，合肥电子特气基地完成智能化改造，产能提升40%。 

产业链整合：收购江苏先科半导体材料公司，整合前驱体研发能力；参股武汉新芯电子，打通下游验证通道。 

新兴赛道：投入3.2亿元布局硅基量子点材料，与中科院共建联合实验室，抢占量子芯片材料先机。

五、未来展望：全球化竞争下的增长路径

短期目标：2025年光刻胶国产替代率提升至25%，化合物半导体材料营收突破10亿元。 

技术路线：启动EUV光刻胶预研项目，组建海外专家团队；开发氮化铝晶体生长技术，切入超高压功率器件赛道。  风险应对：建立原材料战略储备库，与江西钨业签订长期铟锭供应协议，规避供应链波动风险。